por ComputerHoy
26 de mayo de 2025
Los componentes de los ordenadores y dispositivos móviles están evolucionando a niveles impresionantes. Por ejemplo, hay nuevos chips que se enfrían hirviendo, así como procesadores de alta capacidad realmente impresionantes. En cuanto a discos duros SSD, también ha habido un salto grande durante los últimos años.
Ahora le toca a la memoria RAM, que se componen por DRAM o SRAM, siendo este último el formato más avanzado. Sin embargo, los investigadores de la Universidad de Tohoku, Japón, han traído una nueva propuesta que podría revolucionar por completo el componente para hacer que sea más eficiente con una tecnología llamada SOT-MRAM (Spin-Orbit Torque Magnetic RAM).
Con este proyecto, algunos de los problemas de las versiones tradicionales podrían ser resueltos de una vez por todas. Gracias a las propiedades magnéticas especiales implementadas en esta nueva pieza, la experiencia mejora al tener menos consumo energético.
- La tecnología SOT-MRAM cuenta con la menor potencia de escritura jamás creada
- ¿Podría reemplazar a las memorias SRAM?
La tecnología SOT-MRAM cuenta con la menor potencia de escritura jamás creada
Universidad de Tohoku
Mantener una velocidad alta y estabilidad energética al mismo tiempo, es uno de los desafíos más grandes en este tipo de elementos. Por suerte, los científicos japoneses, Tetsuo Endoh e Hideo Ohno, no se han detenido en el proceso de mejorar en estos aspectos y han conseguido una forma aumentar las capacidades sin comprometer ninguno de los avances actuales.
Básicamente, lo que han hecho es implementar un consumo energético de escritura en un 35% mejor con 156 femtojulios (fJ). Esta es una mejora importante al compararla con las anteriores versiones de SOT-MRAM. De hecho, también es un salto significativo porque no hace un gasto excesivo de energía como lo requieren las SRAM y DRAM, que deben abastecerse incluso en modo de espera.
Las mejoras de la MRAM han llegado a un punto jamás visto, uno en el que no se requiere de un “campo magnético auxiliar” que ha sido reemplazada por un diseño categorizado como “canted”, el cual ha sido creado con un ángulo de 75 grados y “un proceso oblea de 300 mm”. Este era el obstáculo que impedía que se aprovechara su máximo potencial.
“Para seguir avanzando en esta tecnología y adaptarla a nuestra sociedad acelerada, basada en la IA y el Internet de las Cosas, el estudio actual se realizó para resolver el problema de la potencia de escritura: la cantidad de energía necesaria para escribir datos en el dispositivo” - Tetsuo Endoh.
Los investigadores de la Universidad de Tohoku, afirman que esta ha sido la clave para que haya una viabilidad industrial adecuada y se logre optimizar “la anisotropía magnética de la capa libre”. Según el informe, con este descubrimiento, en 2019 se determinó que es posible alcanzar una velocidad ultrarrápida de 0,35 nanosegundos en escritura.
Lo más impresionante de todo esto es que a pesar de estar ejecutando una máxima velocidad sin consumir tanta energía, logra mantener una temperatura adecuada con el factor de estabilidad térmica E/kBT = 70 que comprueba qué tan equilibradas se mantienen las celdas magnéticas en los cambios repentinos de grados.
Junto a la relación TMR del 170%, se vuelve un componente adecuado para el uso en el centro de datos, desarrollo de inteligencia artificial, dispositivos IoT, smartphones y otros aparatos electrónicos.
¿Podría reemplazar a las memorias SRAM?
SRAM sigue siendo el estándar más usado en la actualidad por la potencia que ofrece, pero no tiene la misma capacidad de evitar el consumo energético excesivo, por lo que la SOT-MRAM tiene el potencial para llegar a reemplazar a este formato en el futuro.
Todavía presenta ciertos desafíos y también es importante el tema del precio en el que se podría usar. De igual manera, las ventajas como la velocidad, fiabilidad y sostenibilidad, son cosas que sin duda hacen que el funcionamiento sea más óptimo, e incluso causa menos impacto ecológico porque hay posibilidades de disminuir las emisiones de dióxido de carbono (CO₂).
La SOT-MRAM parece ser una tecnología prometedora y es probable que, en algunos años, se comience a notar su llegada al mercado. Por ahora, solo queda esperar a que los investigadores sigan alcanzando hitos hasta llegar al objetivo deseado.
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